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新思界:氮化物半导体综合性能优异 2022年后行业发展前途广阔

  氮化物半导体,属于III-V族半导体,是元素周期表中III族的铝Al、镓Ga、铟In等与V族的氮N形成的化合物,最重要的包含氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)等。与传统半导体相比,氮化物半导体具有宽禁带、导热性好、物理化学性质优异、电子饱和漂移速度高、不含有毒物质、无环境危害等优点,综合性能更佳,可适用场景更为广泛。

  氮化物半导体综合性能优点突出,可用来制造发光二极管、射频器件、功率器件、传感器、激光器等多种产品,大范围的应用在照明、通信、电源、电子电气、显示面板、新能源汽车、光伏发电等行业中。因此氮化物半导体受到众多高校与科研机构的关注,相关研究非常活跃,20世纪90年代以来,全球专利申请量快速增多,同时在利益吸引下,布局该领域的相关厂商数量也在不断增加。

  根据新思界产业研究中心发布的《2022-2026年氮化物半导体行业深度市场调查与研究及投资策略建议报告》显示,在氮化物半导体中,氮化镓属于第三代半导体,行业发展有代表性。2018-2020年,全球氮化镓器件市场年均复合增长率为29.3%;2020年,全球氮化镓器件市场规模约为186亿美元;光电器件、射频器件是氮化镓的主要细分市场;电力、汽车、通信等行业是氮化镓的主要下游市场。由氮化镓行业发展能够准确的看出,全球氮化物半导体行业发展势头强劲。

  我国高新技术产业发展迅速,传统产业技术也在一直在升级,市场对性能更优的新型材料需求旺盛,第三代半导体材料受到政府关注。2016年,“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项中,第三代半导体材料和半导体照明被列入;2021年,“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项中,第三代半导体及前沿电子材料与器件也被列入。相关鼓励支持政策不断推出,利好我国氮化物半导体行业发展。

  新思界行业分析的人说,从技术探讨研究来看,我国北京大学、上海大学等高校陆续在氮化物半导体领域取得重要研究进展,例如北京大学的研究成果对于理解和认识C杂质在GaN、AlN、ZnO等六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为具备极其重大价值。从产业化发展来看,我国氮化物半导体产业链上下游公司数不断增多,例如2021年12月,蓝蕊半导体总部正式落户苏州高新区,将围绕第三族氮化物大尺寸、非极性系列衬底及外延的规模量产和研发。总的来看,我国氮化物半导体行业发展前途广阔。

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